Hangzhou Gallium Semiconductor Co., Ltd. collabora con le università per sviluppare un substrato monocristallino di ossido di gallio da 6 pollici

Hangzhou Gallium Semiconductor Co., Ltd. ha collaborato con l'Advanced Semiconductor Research Institute del Centro internazionale di innovazione scientifica e tecnologica di Hangzhou dell'Università di Zhejiang e il National Key Laboratory of Silicon and Advanced Semiconductor Materials per sviluppare con successo un ossido di gallio da 6 pollici drogato involontariamente e conduttivo ( unità β-Ga2O3). Questo risultato beneficia della ricerca, sviluppo e innovazione indipendenti del team dell’accademico Yang Deren.