Comhoibríonn Hangzhou Gallium Semiconductor Co., Ltd le hollscoileanna chun substráit criostail aonair 6-orlach ocsaíd ghailliam a fhorbairt

Chomhoibrigh Hangzhou Gallium Semiconductor Co., Ltd. le hArd-Institiúid Taighde Leathsheoltóra Ollscoil Zhejiang Hangzhou International Science and Technology Innovation Centre agus an Príomh-Saotharlann Náisiúnta d'Ábhair Leathsheoltóra Sileacain agus Casta chun ocsaíd ghailliam seoltaí 6-orlach neamhbheartaithe a fhorbairt go rathúil ( β-Ga2O3) tsubstráit criostail. Baineann an éacht seo leas as taighde neamhspleách agus forbairt agus nuálaíocht fhoireann Academician Yang Deren.