Hangzhou Gallium Semiconductor Co., Ltd. sodeluje z univerzami pri razvoju 6-palčnega monokristalnega substrata galijevega oksida

Hangzhou Gallium Semiconductor Co., Ltd. je sodeloval z Inštitutom za napredne raziskave polprevodnikov Zhejiang University Hangzhou International Science and Technology Innovation Centre in Nacionalnim ključnim laboratorijem za silicij in napredne polprevodniške materiale, da bi uspešno razvili 6-palčni nenamerno dopiran in prevoden galijev oksid ( β-Ga2O3) kristalni substrat. Ta dosežek je posledica neodvisnih raziskav in razvoja ter inovacij ekipe akademika Yanga Derena.