Hangzhou Gallium Semiconductor Co., Ltd. си сътрудничи с университети за разработване на 6-инчов монокристален субстрат от галиев оксид

Hangzhou Gallium Semiconductor Co., Ltd. си сътрудничи с Advanced Semiconductor Research Institute на Zhejiang University Hangzhou International Science and Technology Innovation Center и Националната ключова лаборатория за силиций и модерни полупроводникови материали за успешно разработване на 6-инчов непреднамерено легиран и проводим галиев оксид ( β-Ga2O3) кристален субстрат. Това постижение е резултат от независимите изследвания и разработки и иновациите на екипа на академик Янг Дерен.