Hangzhou Gallium Semiconductor Co., Ltd. współpracuje z uniwersytetami w celu opracowania 6-calowego monokrystalicznego podłoża z tlenku galu

Firma Hangzhou Gallium Semiconductor Co., Ltd. współpracowała z Instytutem Zaawansowanych Badań nad Półprzewodnikami Uniwersytetu Zhejiang Międzynarodowym Centrum Innowacji Naukowo-Technologicznych w Hangzhou oraz Krajowym Kluczowym Laboratorium Krzemowych i Zaawansowanych Materiałów Półprzewodnikowych w celu pomyślnego opracowania 6-calowego, niezamierzonego domieszkowanego i przewodzącego tlenku galu ( jednostka β-Ga2O3). To osiągnięcie powstało dzięki niezależnym badaniom, rozwojowi i innowacjom zespołu akademika Yang Derena.