A Hangzhou Gallium Semiconductor Co., Ltd. együttműködik az egyetemekkel a 6 hüvelykes gallium-oxid egykristály szubsztrátum kifejlesztésében

A Hangzhou Gallium Semiconductor Co., Ltd. együttműködött a Zhejiang Egyetem Hangzhoui Nemzetközi Tudományos és Technológiai Innovációs Központjának Advanced Semiconductor Research Institute-jával, valamint a Szilícium és Fejlett Félvezető Anyagok Nemzeti Kulcslaboratóriumával, hogy sikeresen kifejleszthessen egy 6 hüvelykes, véletlenül adalékolt és vezetőképes gallium-oxidot ( β-Ga2O3) kristály szubsztrát. Ezt az eredményt Yang Deren akadémikus csapatának független kutatás-fejlesztése és innovációja segíti elő.