Hangzhou Gallium Semiconductor Co., Ltd. surađuje sa sveučilištima na razvoju 6-inčnog monokristalnog supstrata galij oksida

Hangzhou Gallium Semiconductor Co., Ltd. surađivao je s Institutom za napredna istraživanja poluvodiča Sveučilišta Zhejiang Hangzhou, Međunarodnim znanstvenim i tehnološkim inovacijskim centrom i Nacionalnim ključnim laboratorijem za silicij i napredne poluvodičke materijale kako bi uspješno razvio 6-inčni nenamjerno dopirani i vodljivi galijev oksid ( β-Ga2O3) kristalni supstrat. Ovo postignuće proizlazi iz neovisnog istraživanja i razvoja te inovacije tima akademika Yanga Derena.