Hangzhou Gallium Semiconductor Co., Ltd. သည် ၆ လက်မ ဂယ်လီယမ်အောက်ဆိုဒ် တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲအလွှာကို တီထွင်ရန် တက္ကသိုလ်များနှင့် ပူးပေါင်းဆောင်ရွက်သည်

33
Hangzhou Gallium Semiconductor Co., Ltd. သည် Zhejiang University ၏ Advanced Semiconductor Research Institute နှင့် Hangzhou International Science and Technology Innovation Center နှင့် National Key Laboratory of Silicon နှင့် Advanced Semiconductor Materials တို့ကို အောင်မြင်စွာ တီထွင်နိုင်စေရန် ရည်ရွယ်၍ 6 လက်မအရွယ် ဆိုးဆေးနှင့် လျှပ်ကူးနိုင်သော gallium အောက်ဆိုဒ် ( β-Ga2O3) ယူနစ်။ ဤအောင်မြင်မှုသည် Academician Yang Deren ၏အဖွဲ့၏ လွတ်လပ်သော သုတေသနနှင့် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုနှင့် ဆန်းသစ်တီထွင်မှုတို့မှ အကျိုးကျေးဇူးများ ရရှိစေသည်။