تتعاون شركة Hangzhou Gallium Semiconductor Co., Ltd. مع الجامعات لتطوير ركيزة بلورية أحادية من أكسيد الغاليوم مقاس 6 بوصات

تعاونت شركة Hangzhou Gallium Semiconductor Co., Ltd. مع معهد أبحاث أشباه الموصلات المتقدم التابع لجامعة Zhejiang ومركز الابتكار الدولي للعلوم والتكنولوجيا في Hangzhou والمختبر الوطني الرئيسي للسيليكون ومواد أشباه الموصلات المتقدمة لتطوير أكسيد الغاليوم المخدر والموصل بقطر 6 بوصات بنجاح ( β-Ga2O3) وحدة الركيزة البلورية. ويستفيد هذا الإنجاز من البحث والتطوير والابتكار المستقلين لفريق الأكاديمي يانغ ديرين.