Hangzhou Gallium Semiconductor Co., Ltd. oipytyvõ universidad-kuéra ndive omoheñóivo sustrato único cristal óxido de galio 6 pulgadas

Hangzhou Gallium Semiconductor Co., Ltd. oipytyvõ Instituto Avanzado de Investigación Semiconductora Universidad Zhejiang Centro Internacional de Innovación de Ciencia y Tecnología Hangzhou ha Laboratorio Nacional Clave de Silicio ha Materiales Semiconductores Avanzados omoheñói haguã hekoitépe peteî óxido de galio 6 pulgadas dopado intencionalmente ha conductor ( β-Ga2O3) unidad rehegua. Ko jehupytyrã oipytyvõ investigación ha desarrollo independiente ha innovación Académico Yang Deren equipo-gui.