華為公開新型SiC晶體專利

華為技術有限公司近日公開了一項名為「擋板、晶片、SiC晶體、晶體生長爐和生長方法」的新專利，旨在優化碳化矽晶體技術領域的晶體品質。該專利提出了一種新的晶體生長方法，透過在晶體生長爐內設置擋板，改變氣相源的運動方向，使其斜向上朝向籽晶的小面運動，從而提高晶體的生長速度和厚度，降低微管密度。此外，該專利還建議使用低密度石墨作為擋板材料，以提高晶體品質。