Huawei gibt neues Patent für SiC-Kristalle bekannt

Huawei Technologies Co., Ltd. hat kürzlich ein neues Patent mit dem Titel „Baffle, Chip, SiC Crystal, Crystal Growth Furnace and Growth Method“ veröffentlicht, das darauf abzielt, die Kristallqualität im Bereich der Siliziumkarbid-Kristalltechnologie zu optimieren. Das Patent schlägt eine neue Methode zur Kristallzüchtung vor. Durch die Anordnung von Leitblechen im Kristallzüchtungsofen wird die Bewegungsrichtung der Gasphasenquelle so geändert, dass sie sich schräg nach oben in Richtung der Facetten des Impfkristalls bewegt, wodurch die Wachstumsrate und -dicke erhöht wird des Kristalls. Darüber hinaus schlägt das Patent auch die Verwendung von Graphit niedriger Dichte als Prallmaterial vor, um die Kristallqualität zu verbessern.