Huawei verëffentlecht neie SiC Kristallpatent

Huawei Technologies Co., Ltd. huet viru kuerzem en neie Patent bekanntginn mam Titel "Baffle, Chip, SiC Crystal, Crystal Growth Furnace and Growth Method", mam Zil d'Kristallqualitéit am Beräich vun der Siliziumkarbid-Kristalltechnologie ze optimiséieren. De Patent proposéiert eng nei Kristallwachstumsmethod Andeems Dir Baffles am Kristallwuesstumofen opstellt, gëtt d'Bewegungsrichtung vun der Gasphasequell geännert, sou datt se schief no uewen op d'Facetten vum Keimkristall bewegt, an domat de Wuesstumsrate an d'Dicke erhéijen. vum Kristall reduzéieren. Zousätzlech proposéiert de Patent och d'Benotzung vu Low-Density GRAPHITE als Bafflematerial fir d'Kristallqualitéit ze verbesseren.