Huawei yeni SiC kristal patentini açıkladı

Huawei Technologies Co., Ltd. yakın zamanda silisyum karbür kristal teknolojisi alanında kristal kalitesini optimize etmeyi amaçlayan "Bölme, Çip, SiC Kristali, Kristal Büyütme Fırını ve Büyütme Yöntemi" başlıklı yeni bir patenti açıkladı. Patent, kristal büyütme fırınına saptırma plakaları yerleştirilerek, gaz fazı kaynağının hareket yönü, tohum kristalinin yüzeylerine doğru eğik bir şekilde yukarıya doğru hareket edecek şekilde değiştirilir, böylece büyüme hızı ve kalınlığı artar. Kristalin mikrotübül yoğunluğunu azaltın. Buna ek olarak patent, kristal kalitesini artırmak için saptırma malzemesi olarak düşük yoğunluklu grafitin kullanılmasını da öneriyor.