A Huawei új SiC kristály szabadalmat tett közzé

A Huawei Technologies Co., Ltd. a közelmúltban nyilvánosságra hozott egy új szabadalmat "Baffle, Chip, SiC Crystal, Crystal Growth Furnace and Growth Method" címmel, amelynek célja a kristályminőség optimalizálása a szilícium-karbid kristálytechnológia területén. A szabadalom egy új kristálynövekedési módszert javasol A kristálynövesztő kemencében terelőlemezek felállításával a gázfázisú forrás mozgási iránya úgy változik meg, hogy az ferdén felfelé mozog a magkristály oldalai felé, ezáltal nő a növekedési sebesség és vastagság. Csökkentse a mikrotubulusok sűrűségét. Ezenkívül a szabadalom alacsony sűrűségű grafit használatát javasolja terelőanyagként a kristályminőség javítása érdekében.