Huawei เปิดเผยสิทธิบัตรคริสตัล SiC ใหม่

เมื่อเร็วๆ นี้ Huawei Technologies Co., Ltd. เปิดเผยสิทธิบัตรใหม่ชื่อ "Baffle, Chip, SiC Crystal, Crystal Growth Furnace และ Growth Method" โดยมีเป้าหมายเพื่อเพิ่มคุณภาพคริสตัลในด้านเทคโนโลยีคริสตัลซิลิคอนคาร์ไบด์ สิทธิบัตรเสนอวิธีการปลูกคริสตัลแบบใหม่ ด้วยการติดตั้งแผ่นกั้นในเตาปลูกคริสตัล ทิศทางการเคลื่อนที่ของแหล่งกำเนิดเฟสก๊าซจะเปลี่ยนไปเพื่อให้เคลื่อนขึ้นอย่างเอียงไปทางด้านของผลึกเมล็ด ซึ่งจะเป็นการเพิ่มอัตราการเติบโตและความหนา ของคริสตัล ลดความหนาแน่นของไมโครทูบูล นอกจากนี้ สิทธิบัตรยังแนะนำให้ใช้กราไฟท์ความหนาแน่นต่ำเป็นวัสดุแผ่นกั้นเพื่อปรับปรุงคุณภาพของคริสตัล