Huawei mendedahkan paten kristal SiC baharu

Huawei Technologies Co., Ltd. baru-baru ini mendedahkan paten baharu bertajuk "Baffle, Chip, SiC Crystal, Crystal Growth Furnace and Growth Method", bertujuan untuk mengoptimumkan kualiti kristal dalam bidang teknologi kristal silikon karbida. Paten mencadangkan kaedah pertumbuhan kristal baharu Dengan memasang penyekat dalam relau pertumbuhan kristal, arah pergerakan sumber fasa gas diubah supaya ia bergerak secara serong ke atas ke arah bahagian kristal benih, dengan itu meningkatkan kadar pertumbuhan dan ketebalan. daripada kristal. Di samping itu, paten juga mencadangkan penggunaan grafit berketumpatan rendah sebagai bahan penyekat untuk meningkatkan kualiti kristal.