হুয়াওয়ে নতুন SiC ক্রিস্টাল পেটেন্ট প্রকাশ করেছে

Huawei Technologies Co., Ltd. সম্প্রতি "Baffle, Chip, SiC Crystal, Crystal Growth Furnace and Growth Method" নামে একটি নতুন পেটেন্ট প্রকাশ করেছে, যার লক্ষ্য হল সিলিকন কার্বাইড ক্রিস্টাল প্রযুক্তির ক্ষেত্রে ক্রিস্টালের গুণমান অপ্টিমাইজ করা। পেটেন্ট একটি নতুন স্ফটিক বৃদ্ধির পদ্ধতির প্রস্তাব করে, ক্রিস্টাল গ্রোথ ফার্নেসে বাফেলস স্থাপন করে, গ্যাস ফেজ উত্সের গতিপথ পরিবর্তন করা হয় যাতে এটি তির্যকভাবে বীজ স্ফটিকের দিকের দিকে চলে যায়, যার ফলে বৃদ্ধির হার এবং পুরুত্ব বৃদ্ধি পায়। ক্রিস্টালের মাইক্রোটিউবুলের ঘনত্ব কমানো। উপরন্তু, পেটেন্ট ক্রিস্টাল গুণমান উন্নত করার জন্য লো-ঘনত্বের গ্রাফাইটকে ব্যাফেল উপাদান হিসাবে ব্যবহার করার পরামর্শ দেয়।