هواوی پتنت جدید کریستال SiC را فاش کرد

شرکت فناوری هوآوی اخیرا پتنت جدیدی با عنوان «بافل، تراشه، کریستال سی سی، کوره رشد کریستال و روش رشد» با هدف بهینه‌سازی کیفیت کریستال در زمینه فناوری کریستال کاربید سیلیکون منتشر کرده است. این حق اختراع یک روش رشد کریستال جدید را پیشنهاد می کند با نصب بافل در کوره رشد کریستال، جهت حرکت منبع فاز گاز تغییر می کند به طوری که به صورت مورب به سمت بالا به سمت وجوه بلور حرکت می کند و در نتیجه سرعت رشد و ضخامت آن افزایش می یابد. از کریستال کاهش چگالی میکروتوبول. علاوه بر این، پتنت همچنین استفاده از گرافیت با چگالی کم را به عنوان ماده بافل برای بهبود کیفیت کریستال پیشنهاد می کند.