Tony Electronics teatas SiC projekti laiendamisest ja eeldatavasti suurendab iga-aastast tootmisvõimsust 200 000 tüki 6-tollise ränikarbiidi substraadimaterjali võrra.

Tony Electronics teatas, et laiendab oma SiC projekti Zhili linnas, Wuxingi rajoonis, Huzhou linnas, lisades aastatoodanguks 200 000 tükki 6-tollise ränikarbiidi substraadimaterjali. Projekti koguinvesteering on 469 miljonit ja selle ehituse eest vastutab selle tütarettevõte Tony Semiconductor. See peaks valmima 2023. aasta esimesel poolel.