تونی الکترونیکس از گسترش پروژه SiC خبر داد و انتظار می رود ظرفیت تولید سالانه 200000 قطعه مواد زیرلایه سیلیکون کاربید 6 اینچی را افزایش دهد.

Tony Electronics اعلام کرد که پروژه SiC خود را در Zhili Town، منطقه Wuxing، Huzhou City گسترش خواهد داد و تولید سالانه 200000 قطعه مواد زیرلایه سیلیکون کاربید 6 اینچی را اضافه خواهد کرد. این پروژه در مجموع 469 میلیون سرمایه گذاری دارد و شرکت تابعه آن Tony Semiconductor مسئولیت ساخت آن را بر عهده دارد.