Tony Electronics-მა გამოაცხადა SiC პროექტის გაფართოება და მოსალოდნელია გაზარდოს 200,000 ცალი 6 დიუმიანი სილიციუმის კარბიდის სუბსტრატის მასალების წარმოების მოცულობა.

Tony Electronics-მა გამოაცხადა, რომ გააფართოვებს SiC პროექტს Zhili Town-ში, Wuxing-ის რაიონში, Huzhou City, და დაამატებს წლიურ გამომუშავებას 200,000 ცალი 6 დიუმიანი სილიციუმის კარბიდის სუბსტრატის მასალებით. პროექტის მთლიანი ინვესტიცია 469 მილიონია და მისი შვილობილი კომპანია Tony Semiconductor პასუხისმგებელია მშენებლობაზე, სავარაუდოდ, ის დასრულდება 2023 წლის პირველ ნახევარში.