Tianyue Advanced expande escala de produção de substrato de SiC de 6 polegadas da Shanghai Lingang Factory para 960.000 peças/ano

De acordo com o plano de investimento para 2022, a base de produção de substrato de SiC construída pela Tianyue Advanced em Lingang, Xangai, está planejada para iniciar a produção experimental em 2022 e atingir a produção plena em 2026, atingindo uma capacidade de produção anual de 300.000 substratos condutores de SiC. No segundo semestre de 2023, a Tianyue Advanced decidiu expandir a escala de produção de substratos de SiC de 6 polegadas para 960.000 peças/ano, o que equivale a uma expansão de 220% da capacidade de produção em comparação com o plano original. Com base na situação atual dos pedidos e na previsão de demanda dos clientes, espera-se que a avançada fábrica da Tianyue em Shanghai Lingang atinja sua meta de capacidade de produção anual de 300.000 substratos condutores antes do previsto. Uma vez realizada, a fábrica de Lingang se tornará a principal base de produção de substratos condutores de carboneto de silício da empresa.