Tianyue Advanced Memperluas Skala Produksi Substrat SiC 6 inci Pabrik Lingang Shanghai menjadi 960.000 Potongan/Tahun

Menurut rencana investasi tahun 2022, basis produksi substrat SiC yang dibangun oleh Tianyue Advanced di Lingang, Shanghai direncanakan untuk memulai produksi uji coba pada tahun 2022 dan mencapai produksi penuh pada tahun 2026, sehingga mencapai kapasitas produksi tahunan sebesar 300.000 substrat SiC konduktif. Pada paruh kedua tahun 2023, Tianyue Advanced memutuskan untuk memperluas skala produksi substrat SiC 6 inci menjadi 960.000 lembar/tahun, yang setara dengan peningkatan kapasitas produksi sebesar 220% dibandingkan rencana awal. Berdasarkan situasi pesanan saat ini dan perkiraan permintaan pelanggan, pabrik Shanghai Lingang yang canggih milik Tianyue diharapkan dapat mencapai target kapasitas produksi tahunan sebesar 300.000 substrat konduktif lebih cepat dari jadwal. Jika terealisasi, pabrik Lingang akan menjadi basis produksi utama perusahaan untuk substrat silikon karbida konduktif.