Haiqian Semiconductor fäerdeg Serie A Finanzéierung fir d'Expansioun vun der SiC epitaxialer Wafer Produktiounskapazitéit ze beschleunegen

Hangzhou Haiqian Semiconductor Company annoncéiert den erfollegräichen Ofschloss vun der Serie A Finanzéierung am Februar 2024. Dës Finanzéierung gouf zesumme vu Shenzhen Venture Capital a Shenzhen Hongben Capital investéiert. D'Fongen ginn benotzt fir SiC epitaxial Wafer Produktiounskapazitéit auszebauen. Haiqian Semiconductor gouf am Juni 2022 gegrënnt a konzentréiert sech op d'Fuerschung, d'Entwécklung, d'Produktioun a Verkaf vun Drëtt-Generatioun Halbleiter SiC epitaxial Wafere. Momentan huet d'Firma schonn 12 6-Zoll SiC epitaxial Wafer Produktiounslinnen, déi 3,900 1,200V MOSFET-Niveau qualifizéiert Produkter pro Mount produzéiere kënnen.