Haiqian Semiconductor SiC epitaksial gofret ishlab chiqarish quvvatini kengaytirishni tezlashtirish uchun A seriyasini moliyalashtirishni yakunladi.

Hangzhou Haiqian Semiconductor Company 2024-yil fevral oyida A seriyali moliyalashtirish muvaffaqiyatli yakunlangani haqida eʼlon qildi. Ushbu moliyalashtirish Shenzhen Venture Capital va Shenzhen Hongben Capital tomonidan birgalikda investitsiya qilingan. Mablag'lar SiC epitaksial gofret ishlab chiqarish quvvatlarini kengaytirishga sarflanadi. Haiqian Semiconductor 2022 yil iyun oyida tashkil etilgan va uchinchi avlod yarimo'tkazgichli SiC epitaksial gofretlarini tadqiq qilish, ishlab chiqish, ishlab chiqarish va sotishga qaratilgan. Hozirda kompaniya allaqachon 12 ta 6 dyuymli SiC epitaksial gofret ishlab chiqarish liniyalariga ega bo'lib, ular oyiga 3900 dona 1200V MOSFET darajasidagi malakali mahsulotlarni ishlab chiqarishi mumkin.