Haiqian Semiconductor သည် SiC epitaxial wafer ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်ကို အရှိန်မြှင့်ရန်အတွက် Series A ဘဏ္ဍာငွေကို ပြီးမြောက်ခဲ့သည်

Hangzhou Haiqian Semiconductor ကုမ္ပဏီသည် 2024 ခုနှစ် ဖေဖော်ဝါရီလတွင် Series A ငွေကြေးထောက်ပံ့မှု အောင်မြင်စွာပြီးစီးကြောင်း ကြေညာခဲ့သည်။ ဤဘဏ္ဍာငွေကို Shenzhen Venture Capital နှင့် Shenzhen Hongben Capital တို့မှ ပူးတွဲရင်းနှီးမြှုပ်နှံခဲ့သည်။ ရန်ပုံငွေများကို SiC epitaxial wafer ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်ကို တိုးချဲ့ရန်အတွက် အသုံးပြုမည်ဖြစ်သည်။ Haiqian Semiconductor ကို ဇွန်လ 2022 တွင် စတင်တည်ထောင်ခဲ့ပြီး တတိယမျိုးဆက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း SiC epitaxial wafers များ၏ သုတေသန၊ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှု၊ ထုတ်လုပ်မှုနှင့် ရောင်းချမှုအပေါ် အလေးပေးဆောင်ရွက်ခဲ့ပါသည်။ လက်ရှိတွင် ကုမ္ပဏီတွင် တစ်လလျှင် 3,900 1,200V MOSFET အဆင့် အရည်အသွေးပြည့်မီသော ထုတ်ကုန်များကို ထုတ်လုပ်နိုင်သည့် 6-လက်မ SiC epitaxial wafer ထုတ်လုပ်မှုလိုင်း 12 ခုရှိသည်။