Haiqian Semiconductor เสร็จสิ้นการระดมทุนระดับ Series A เพื่อเร่งการขยายกำลังการผลิตแผ่นเวเฟอร์ SiC

Hangzhou Haiqian Semiconductor Company ได้ประกาศความสำเร็จในการระดมทุนระดับ Series A ในเดือนกุมภาพันธ์ 2567 การจัดหาเงินทุนนี้ร่วมลงทุนโดย Shenzhen Venture Capital และ Shenzhen Hongben Capital เงินทุนดังกล่าวจะถูกนำมาใช้เพื่อขยายกำลังการผลิตเวเฟอร์ SiC เอพิแทกเซียล Haiqian Semiconductor ก่อตั้งขึ้นในเดือนมิถุนายน 2565 และมุ่งเน้นการวิจัย การพัฒนา การผลิต และการขายเวเฟอร์ SiC เอพิแทกเซียลเซมิคอนดักเตอร์เจเนอเรชันที่สาม ปัจจุบัน บริษัทมีสายการผลิตเวเฟอร์ SiC epitaxis ขนาด 6 นิ้วจำนวน 12 สายการผลิต ซึ่งสามารถผลิตผลิตภัณฑ์ที่ผ่านการรับรองระดับ MOSFET 1,200V ได้ 3,900 1,200V ต่อเดือน