হাইকিয়ান সেমিকন্ডাক্টর SiC এপিটাক্সিয়াল ওয়েফার উৎপাদন ক্ষমতার সম্প্রসারণ ত্বরান্বিত করার জন্য সিরিজ A অর্থায়ন সম্পন্ন করেছে

হ্যাংঝো হাইকিয়ান সেমিকন্ডাক্টর কোম্পানি 2024 সালের ফেব্রুয়ারিতে সিরিজ A অর্থায়নের সফল সমাপ্তির ঘোষণা করেছে। এই অর্থায়ন যৌথভাবে সেনজেন ভেঞ্চার ক্যাপিটাল এবং শেনজেন হংবেন ক্যাপিটাল দ্বারা বিনিয়োগ করা হয়েছে। তহবিলগুলি এসআইসি এপিটাক্সিয়াল ওয়েফার উত্পাদন ক্ষমতা প্রসারিত করতে ব্যবহার করা হবে। হাইকিয়ান সেমিকন্ডাক্টর 2022 সালের জুনে প্রতিষ্ঠিত হয়েছিল এবং তৃতীয় প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর SiC এপিটাক্সিয়াল ওয়েফারগুলির গবেষণা, উন্নয়ন, উত্পাদন এবং বিক্রয়ের উপর দৃষ্টি নিবদ্ধ করে। বর্তমানে, কোম্পানির ইতিমধ্যে 12 6-ইঞ্চি SiC এপিটাক্সিয়াল ওয়েফার উত্পাদন লাইন রয়েছে, যা প্রতি মাসে 3,900 1,200V MOSFET-স্তরের যোগ্য পণ্য উত্পাদন করতে পারে।