Haiqian Semiconductor-მა დაასრულა A სერიის დაფინანსება, რათა დააჩქაროს SiC ეპიტაქსიალური ვაფლის წარმოების შესაძლებლობების გაფართოება

Hangzhou Haiqian Semiconductor Company-მა გამოაცხადა A სერიის დაფინანსების წარმატებით დასრულება 2024 წლის თებერვალში. ეს დაფინანსება ერთობლივად განხორციელდა Shenzhen Venture Capital-ისა და Shenzhen Hongben Capital-ის მიერ. თანხები გამოყენებული იქნება SiC ეპიტაქსიალური ვაფლის წარმოების შესაძლებლობების გასაფართოებლად. Haiqian Semiconductor დაარსდა 2022 წლის ივნისში და ფოკუსირებულია მესამე თაობის ნახევარგამტარული SiC ეპიტაქსიალური ვაფლების კვლევაზე, განვითარებაზე, წარმოებასა და გაყიდვაზე. ამჟამად კომპანიას უკვე აქვს 12 6 დიუმიანი SiC ეპიტაქსიალური ვაფლის წარმოების ხაზი, რომელსაც შეუძლია თვეში 3900 1200 ვ MOSFET-ის დონის კვალიფიციური პროდუქციის წარმოება.