STMicroelectronics podpiše dolgoročno dobavno pogodbo z Li Auto
Tehnologija Changxian
dolgo
MOSFET
SiC MOS
SiC MOSFET
STMicroelectronics
dolg
visoko
električni
dr
SiC
2024-12-24 16:11
0
STMicroelectronics in Li Auto sta decembra lani podpisala dolgoročno dobavno pogodbo. V skladu s pogodbo bo STMicroelectronics družbi Li Auto zagotovila MOSFET-e iz silicijevega karbida za podporo njenemu vstopu na trg visokonapetostnih električnih vozil. 800 V visokonapetostna čista električna platforma podjetja Li Auto uporablja tretjo generacijo 1200 V SiC MOSFET tehnologije STMicroelectronics.
