Die Fuzhou Gallium Valley Semiconductor Company investierte 1 Milliarde Yuan, um sich auf die Forschung und Entwicklung sowie die Produktion von GaN-Epitaxiewafern zu konzentrieren

Fuzhou Gallium Valley Semiconductor Co., Ltd. plant, 1 Milliarde Yuan in die Forschung, Entwicklung und Produktion von GaN-Epitaxiewafern aus Halbleitermaterial der dritten Generation zu investieren. Das Unternehmen wurde im Juli 2022 gegründet. Zu seinen Hauptprodukten gehören Galliumnitrid auf Silizium (GaN auf Si), Galliumnitrid auf Siliziumkarbid (GaN auf SiC) und Galliumnitrid auf Saphir (GaN auf Saphir).