Fuzhou Gallium Valley Semiconductor Company investeerde 1 miljard yuan om zich te concentreren op de R&D en productie van GaN epitaxiale wafers

Fuzhou Gallium Valley Semiconductor Co., Ltd. is van plan 1 miljard yuan te investeren in onderzoek, ontwikkeling en productie van epitaxiale GaN-wafels van halfgeleidermateriaal van de derde generatie. Het bedrijf werd opgericht in juli 2022. De belangrijkste producten zijn galliumnitride op silicium (GaN op Si), galliumnitride op siliciumcarbide (GaN op SiC) en galliumnitride op saffier (GaN op Sapphire).