Fuzhou Gallium Valley Semiconductor Company investéiert 1 Milliard Yuan fir op d'R&D an d'Produktioun vu GaN epitaxialen Waferen ze fokusséieren

Fuzhou Gallium Valley Semiconductor Co., Ltd. plangt 1 Milliard Yuan an d'Fuerschung an d'Entwécklung an d'Produktioun vun Drëtt-Generatioun Hallefleitmaterial GaN epitaxial Waferen ze investéieren. D'Firma gouf am Juli gegrënnt 2022. Seng Haaptprodukter enthalen Galliumnitrid op Silizium (GaN op Si), Galliumnitrid op Siliziumkarbid (GaN op SiC) a Galliumnitrid op Saphir (GaN op Saphir).