Η Fuzhou Gallium Valley Semiconductor Company επένδυσε 1 δισεκατομμύριο γιουάν για να επικεντρωθεί στην Ε&Α και την παραγωγή επιταξιακών γκοφρετών GaN

Η Fuzhou Gallium Valley Semiconductor Co., Ltd. σχεδιάζει να επενδύσει 1 δισεκατομμύριο γιουάν στην έρευνα και ανάπτυξη και παραγωγή επιταξιακών γκοφρετών GaN ημιαγωγών τρίτης γενιάς. Η εταιρεία ιδρύθηκε τον Ιούλιο του 2022. Τα κύρια προϊόντα της περιλαμβάνουν νιτρίδιο γαλλίου σε πυρίτιο (GaN on Si), νιτρίδιο γαλλίου σε καρβίδιο πυριτίου (GaN σε SiC) και νιτρίδιο γαλλίου σε ζαφείρι (GaN on Sapphire).