Fuzhou Gallium Valley Semiconductor Company Ar-ge va GaN epitaksial gofretlarini ishlab chiqarishga e'tibor qaratish uchun 1 milliard yuan sarmoya kiritdi.

Fuzhou Gallium Valley Semiconductor Co., Ltd kompaniyasi uchinchi avlod yarimo'tkazgich materiallari GaN epitaksial gofretlarini tadqiq qilish va ishlab chiqish va ishlab chiqarishga 1 milliard yuan sarmoya kiritishni rejalashtirmoqda. Kompaniya 2022-yil iyul oyida tashkil etilgan. Uning asosiy mahsulotlari kremniydagi galliy nitridi (Si ustidagi GaN), kremniy karbididagi galliy nitridi (SiCdagi GaN) va sapfirdagi galiy nitridi (Sapphiredagi GaN) ni oʻz ichiga oladi.