A Fuzhou Gallium Valley Semiconductor Company 1 milliárd jüant fektetett be, hogy a GaN epitaxiális lapkák kutatás-fejlesztésére és gyártására összpontosítson.

A Fuzhou Gallium Valley Semiconductor Co., Ltd. 1 milliárd jüant tervez befektetni harmadik generációs félvezető anyagú GaN epitaxiális lapkák kutatásába, fejlesztésébe és gyártásába. A céget 2022 júliusában alapították. Fő termékei közé tartozik a szilíciumra felvitt gallium-nitrid (GaN on Si), a gallium-nitrid szilícium-karbidon (GaN on SiC) és a gallium-nitrid a zafíron (GaN on zafír).