Fuzhou Gallium Valley Semiconductor ကုမ္ပဏီသည် R&D နှင့် GaN epitaxial wafers များထုတ်လုပ်မှုကိုအာရုံစိုက်ရန် ယွမ် ၁ ဘီလီယံ ရင်းနှီးမြှုပ်နှံခဲ့သည်။

Fuzhou Gallium Valley Semiconductor Co., Ltd. သည် တတိယမျိုးဆက် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ ပစ္စည်း GaN epitaxial wafers များ သုတေသနနှင့် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေးနှင့် ထုတ်လုပ်ရေးတွင် ယွမ် ၁ ဘီလီယံ ရင်းနှီးမြှုပ်နှံရန် စီစဉ်ထားသည်။ ကုမ္ပဏီကို 2022 ခုနှစ် ဇူလိုင်လတွင် စတင်တည်ထောင်ခဲ့ပါသည်။ ၎င်း၏အဓိကထုတ်ကုန်များတွင် ဆီလီကွန်ပေါ်ရှိ ဂယ်လီယမ်နိုက်ထရိတ် (GaN on Si)၊ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်တွင် ဂါလီယမ်နိုက်ထရိတ် (GaN on SiC) နှင့် နီလာပေါ်ရှိ ဂယ်လီယမ်နိုက်ထရိတ် (GaN on Sapphire) တို့ ပါဝင်သည်။