استثمرت شركة Fuzhou Gallium Valley لأشباه الموصلات مليار يوان للتركيز على البحث والتطوير وإنتاج الرقائق الفوقية GaN

تخطط شركة Fuzhou Gallium Valley Semiconductor Co., Ltd. لاستثمار مليار يوان في البحث والتطوير وإنتاج الجيل الثالث من رقائق GaN الفوقي من مادة أشباه الموصلات. تأسست الشركة في يوليو 2022. وتشمل منتجاتها الرئيسية نيتريد الغاليوم على السيليكون (GaN on Si)، ونيتريد الغاليوم على كربيد السيليكون (GaN على SiC) ونيتريد الغاليوم على الياقوت (GaN on Sapphire).