Fuzhou Gallium Valley Semiconductor Company השקיעה מיליארד יואן כדי להתמקד במחקר ופיתוח ובייצור של פרוסות אפיטקסיאליות GaN

Fuzhou Gallium Valley Semiconductor Co., Ltd מתכננת להשקיע מיליארד יואן במחקר ופיתוח וייצור של פרוסות אפיטקסיאליות GaN מחומר מוליכים למחצה מהדור השלישי. החברה הוקמה ביולי 2022. בין מוצריה העיקריים ניתן למצוא גליום ניטריד על סיליקון (GaN on Si), gallium nitride על סיליקון קרביד (GaN on SiC) וגליום ניטריד על ספיר (GaN on Sapphire).