Empresa Semiconductor Fuzhou Gallium Valley oinverti 1.000 millones de yuanes ojesareko haguã I+D ha producción oblea epitaxial GaN

Fuzhou Gallium Valley Semiconductor Co., Ltd. oreko plan oinverti haguã 1.000 millones de yuanes investigación ha desarrollo ha producción material semiconductor tercera generación GaN oblea epitaxial. Ko empresa oñemopyenda julio ary 2022. Iproducto principal ha'e nitruro de galio silicio rehe (GaN Si rehe), nitruro de galio carburo de silicio rehe (GaN SiC rehe) ha nitruro de galio zafiro rehe (GaN Zafiro rehe).