STMicroelectronics plangt eng GaN-on-Si heteroepitaxial Produktiounslinn zu Tours, Frankräich ze etabléieren

STMicroelectronics plangt eng Produktiounslinn opzebauen déi voll den Ufuerderunge bei senger Front-End Wafer Fabréck zu Tours, Frankräich entsprécht, dorënner eng GaN-on-Si heteroepitaxial Produktiounslinn. Dës Produktiounslinn hëlleft Silizium-baséiert GaN Produktiounskapazitéit ze erhéijen an de Bau vun 5G drahtlose Netzwierker z'ënnerstëtzen.