STMicroelectronics merancang untuk menubuhkan barisan pengeluaran heteroepitaxial GaN-on-Si di Tours, Perancis
galium nitrida
5G
had
wafer
rangkaian
kilang
rangka
berasaskan silikon
kapasiti
pembinaan
asas
asas
asas
Perancis
penuh
2024-12-24 16:42
59
STMicroelectronics merancang untuk menubuhkan barisan pengeluaran yang memenuhi sepenuhnya keperluan di kilang wafer hadapannya di Tours, Perancis, termasuk barisan pengeluaran heteroepitaxial GaN-on-Si. Barisan pengeluaran ini akan membantu meningkatkan kapasiti pengeluaran GaN berasaskan silikon dan menyokong pembinaan rangkaian wayarles 5G.
