Transphorm paleidžia 900 V GaN FET

„Transphorm“ pristatė 900 V GaN FET, kuris dabar gaminamas. „Transphorm“ pristatė daugiau nei 500 000 „GaN“ galios įrenginių, skirtų kelių kilovatų įrenginiams. Be to, „Transphorm“ taip pat pristatė pirmąjį „GaN FET“, atitinkantį automobilių standartus, ir užmezgė partnerystę su „ON Semiconductor“, siekdama kartu pristatyti GAN pagrindu veikiančius maitinimo sprendimus.