炭化ケイ素デバイスの市場機会
メルセデス・ベンツ EQE SUV
世界
分野
の
IGBT
MOSFET
メーカー
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世界
遅れ
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2024-12-24 17:11
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SiCデバイスは安定性要求が高く検証サイクルが長いため、中国メーカーの参入が遅れ、まだ一定規模のシェアを形成していないが、Silanなどの国内メーカーも存在する。マイクロ、スターなどのデバイスの大量生産を実現しており、パワーMOSFET、IGBT単管、IGBTモジュールなど一部の分野では世界トップ10に入る。
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