fez avanços tecnológicos na área de substratos de carboneto de silício

foi fundada em 2012 e está localizada na zona de desenvolvimento de alta tecnologia de Baoding. Ela se concentra em pesquisa e desenvolvimento e produção de substratos de carboneto de silício. A empresa trabalha em estreita colaboração com o Instituto de Semicondutores da Academia Chinesa de Ciências e iniciou a produção em massa de wafers de carboneto de silício de 4 polegadas desde 2015. Atualmente, seu substrato condutor de 6 polegadas atingiu os padrões de aplicação de dispositivos de energia de nível automotivo e está qualificado para produção em massa. Atualmente, a capacidade de produção da Tongguang Co., Ltd. está crescendo a uma taxa que duplica a cada ano. De acordo com o plano, a capacidade de produção interna da empresa chegará a 300 mil peças no próximo ano (ou seja, 2024), e está prevista atingir de 500 mil a 600 mil peças em 2025.