Tongguang Co., Ltd. huet technologesch Duerchbréch am Beräich vu Siliziumkarbidsubstrater gemaach

Tongguang Co., Ltd. gouf am Joer 2012 gegrënnt an ass an der Baoding High-Tech Development Zone etabléiert. D'Firma schafft enk mam Institut fir Semiconductors vun der Chinesescher Akademie vun de Wëssenschaften zesummen an huet zënter 2015 d'Massproduktioun vu 4-Zoll Siliziumkarbidwafere ugefaang. Am Moment huet säi 6-Zoll konduktivt Substrat d'Applikatiounsnormen vun Automotive-Schouljoer Kraaftapparater erreecht an ass fir Masseproduktioun qualifizéiert. Am Moment wiisst d'Produktiounskapazitéit vun Tongguang Co., Ltd. Geméiss dem Plang wäert d'intern Produktiounskapazitéit vun der Firma d'nächst Joer 300.000 Stéck erreechen (dat ass 2024), an et ass geplangt fir 500.000 bis 600.000 Stéck am Joer 2025 z'erreechen.