Tongguang Co., Ltd.-მ მიაღწია ტექნოლოგიურ გარღვევებს სილიციუმის კარბიდის სუბსტრატების სფეროში.

Tongguang Co., შპს დაარსდა 2012 წელს და მდებარეობს ბაოდინგის მაღალტექნოლოგიური განვითარების ზონაში. კომპანია მჭიდროდ თანამშრომლობს ჩინეთის მეცნიერებათა აკადემიის ნახევარგამტართა ინსტიტუტთან და 2015 წლიდან დაიწყო 4 დიუმიანი სილიკონის კარბიდის ვაფლის მასობრივი წარმოება. ამჟამად, მისმა 6 დიუმიანმა გამტარ სუბსტრატმა მიაღწია საავტომობილო კლასის ელექტრო მოწყობილობების გამოყენების სტანდარტებს და კვალიფიცირებულია მასობრივი წარმოებისთვის. დღეისათვის Tongguang Co., Ltd.-ს წარმოების სიმძლავრე ყოველწლიურად გაორმაგდება. გეგმის მიხედვით, კომპანიის შიდა წარმოების სიმძლავრე მომავალ წელს (ანუ 2024 წელს) 300 000 ცალს მიაღწევს, 2025 წელს კი 500 000-დან 600 000 ცალამდეა დაგეგმილი.