Tongguang Co., Ltd. ojapo avance tecnológico umi sustrato carburo de silicio rehegua

Tongguang Co., Ltd. oñemopyenda ary 2012 ha oime Zona de Desarrollo Alta tecnología Baoding-pe Oñecentra I+D ha producción sustrato carburo de silicio. Ko empresa omba'apo estrechamente Instituto de Semiconductores Academia China de Ciencias ndive ha oñepyrü producción masiva oblea carburo de silicio 4 pulgadas ary 2015 guive. Ko'ágã, sustrato conductor orekóva 6 pulgadas oguahë umi estándar de aplicación umi dispositivo de potencia grado automotriz ha oime calificado producción masiva. Ko'ágã, capacidad de producción Tongguang Co., Ltd. okakuaa peteî ritmo de duplicación cada año. Péicha plan, capacidad de producción interna empresa oguahêta 300.000 pieza ary oúvape (he'iséva, 2024), ha oime planeado oguahëvo 500.000 a 600.000 pieza ary 2025-pe.