Tongguang Co., Ltd. hat eine Serie-F-Finanzierung über 1,5 Milliarden Yuan abgeschlossen, um das Layout von Siliziumkarbid-Einkristallsubstraten zu beschleunigen

Hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd. (hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd.) gab den Abschluss der Serie-F-Finanzierung bekannt. Der Umfang dieser Finanzierungsrunde beträgt 1,5 Milliarden Yuan. Sie wird vom Shenzhen Venture Capital New Materials Fund for Manufacturing Transformation and Upgrading (bezeichnet als „Shenzhen Venture Capital New Materials Fund“) und der Beijing-Tianjin-Hebei Coordinated Development Industrial Investment finanziert Der Fonds (bezeichnet als „Beijing-Tianjin-Hebei Industrial Investment Fund“) leitete die Investition und wurde gemeinsam von Baoding High-tech Zone Venture Capital Co., Ltd. („High-tech Venture Capital“) und Hebei investiert Zentrum für Industrieinvestitionen und neue Industrieentwicklung („Hebei Industrial Investment“) mit einem Wert von über 10 Milliarden Yuan. Im April dieses Jahres wurde das 8-Zoll-Muster eines leitfähigen Siliziumkarbidkristalls auf den Markt gebracht. Es wird erwartet, dass es bis Ende des Jahres eine Kleinserienproduktion erreichen wird und im Bereich Elektrofahrzeuge eingesetzt werden kann, um die Batterielebensdauer erheblich zu verbessern.